半導体結晶成長モニタリング装置

レーザ光を応用してLEDやICなどの半導体の材料となる結晶成長の状態をモニタする装置です。
表面の①ひずみ率、②温度、③反射率の状態をモニタリングしながらファイル保存します。

反射率は時刻と共にレーザ光の干渉により振動します。
その周期は波長の同じ長さですから成長の度合いを算出することができます。